IRFH3702PBF_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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IRFH3702PBF 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，滿(mǎn)足現(xiàn)代化小型化電路設(shè)計(jì)要求。其擁有30V的最大漏源耐壓(VDSS)，具備強(qiáng)大瞬態(tài)響應(yīng)能力，可持續(xù)提供高達(dá)60A的漏極電流(ID)。尤為突出的是，導(dǎo)通電阻僅6mΩ(RD(on))，顯著降低功率損耗，確保在大電流運(yùn)行環(huán)境下也能保持高效能表現(xiàn)。本產(chǎn)品廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、高頻開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域，為高端電子產(chǎn)品提供強(qiáng)勁動(dòng)力支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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