STD6NF10_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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STD6NF10 N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，專為100V高電壓系統(tǒng)中的中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件具備高達(dá)100V的漏源電壓(VDSS)和15A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保在高壓環(huán)境中穩(wěn)定可靠運(yùn)行。導(dǎo)通電阻RD(on)為100mR，雖非超低阻值，但足以滿足大部分中等功率轉(zhuǎn)換需求，達(dá)到良好的性價(jià)比。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等各種領(lǐng)域，是兼具性能與成本優(yōu)勢(shì)的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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