STD12NF06LT4_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
STD12NF06LT4 是一款高性能N溝道MOSFET，采用經(jīng)濟高效的TO-252-2L封裝，適用于多種電子設(shè)計需求。在60V的最大漏源電壓(VDSS)條件下，可提供穩(wěn)定的20A漏極電流(ID)，特別適應(yīng)高壓大電流應(yīng)用環(huán)境。其27mΩ的低導(dǎo)通電阻有助于提升系統(tǒng)能效，減少不必要的功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等領(lǐng)域，是您構(gòu)建優(yōu)質(zhì)、節(jié)能電子系統(tǒng)的可靠組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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