FDD6680AS_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/7.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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FDD6680AS 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型TO-252-2L封裝，專為高電流應(yīng)用場合打造。器件關(guān)鍵特性包括工作電壓VDSS高達(dá)30V，可承載高達(dá)60A的強(qiáng)大連續(xù)電流，其超低導(dǎo)通電阻RD(on)僅為7mR，確保在大電流運(yùn)行下仍能維持高效能和低熱量損耗。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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