NTD5865NL_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
NTD5865NL 是一款高性能N溝道MOSFET，封裝形式為TO-252-2L，便于PCB布局設(shè)計。該器件擁有強大的電氣參數(shù)最大漏源電壓VDSS為60V，連續(xù)漏極電流ID高達50A，而在導(dǎo)通狀態(tài)下，其低至15mR的導(dǎo)通電阻，極大地優(yōu)化了系統(tǒng)效率并減小功率損耗。本產(chǎn)品特別適用于開關(guān)電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電機控制等領(lǐng)域的高效能電路設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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