NVD5863NL_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
NVD5863NL 是一款高性能N溝道MOSFET，采用散熱良好的TO-252-2L封裝，專為處理大電流設(shè)計(jì)。此器件具有60V的高耐壓VDSS，可承受高達(dá)80A的連續(xù)電流ID，體現(xiàn)出其出色的功率處理能力。其導(dǎo)通電阻RD(on)低至6mΩ，極大程度地減少了電能損耗，提升了整體能效。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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