NTD20N06_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
NTD20N06 N溝道MOS管采用了緊湊高效的TO-252-2L封裝，適配現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化需求。該器件在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，可持續(xù)提供20A的漏極電流(ID)，展現(xiàn)卓越的大電流處理能力。其導(dǎo)通電阻RD(on)低至27mΩ，大大提升了電源轉(zhuǎn)換效率，減少了不必要的能量損耗。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動等領(lǐng)域，是高性能、高性價比的半導(dǎo)體解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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