MDD1951RH_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
MDD1951RH N溝道MOS管采用堅固耐用的TO-252-2L封裝形式，專為高功率應(yīng)用設(shè)計。該器件具有60V的最大漏源電壓(VDSS)以及卓越的20A連續(xù)漏極電流(ID)，性能強(qiáng)勁穩(wěn)定。其導(dǎo)通電阻低至27mΩ，有助于減少能量損耗并提高整體系統(tǒng)效能。本產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動等領(lǐng)域，是高端電子設(shè)備中不可或缺的高性能MOS管組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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