IPD30N06S2-15_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
IPD30N06S2-15 是一款高性能N溝道MOS管，封裝類型為節(jié)省空間的TO-252-2L。它具備優(yōu)異的電氣參數(shù)最高漏源電壓VDSS高達(dá)60V，能夠承受50A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)卓越的負(fù)載承載能力。更值得關(guān)注的是，其導(dǎo)通電阻僅11mR，有助于顯著降低功耗與提高系統(tǒng)效能。此款MOS管適用于各類開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動控制以及高效節(jié)能電子設(shè)備，是高端電源管理和電路設(shè)計的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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