并聯(lián)MOSFET設(shè)計(jì)指南：均流、寄生參數(shù)與熱平衡
在現(xiàn)代高效電源設(shè)計(jì)中，MOSFET并聯(lián)技術(shù)廣泛應(yīng)用于要求大電流承載能力的電路中，如電動(dòng)汽車、電源供應(yīng)、功率放大器等。通過并聯(lián)多個(gè)MOSFET，可以大幅提高電路的電流處理能力、降低導(dǎo)通損耗，并增強(qiáng)系統(tǒng)的整體可靠性。然而，MOSFET并聯(lián)設(shè)計(jì)并非簡(jiǎn)單的“多加幾個(gè)”過程，必須考慮到均流、寄生參數(shù)與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實(shí)際設(shè)計(jì)中有效應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，優(yōu)化并聯(lián)MOSFET的性能。
