韓國三星電子近日在先進半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域展現(xiàn)出強勁的信心，公司高層對其2納米GAA（Gate-All-Around）制程的發(fā)展進度表達了高度樂觀。據(jù)朝鮮日報報道，在總統(tǒng)辦公室政策首席Kim Yong-beom主持的一場關(guān)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)議題的會議中，三星設(shè)備解決方案部門總裁兼技術(shù)長Song Jae-hyuk對2納米GAA制程給予了諸多正面評價。

相較于前幾年三星晶圓代工業(yè)務(wù)表現(xiàn)不佳，導(dǎo)致臺積電占據(jù)了市場大部分份額的情況，目前看來三星終于有所轉(zhuǎn)變。報告指出，三星已將其2納米GAA的良率目標從原定的50%大幅提高至70%，并預(yù)計在2025年底達成。知情人士透露，這些在高層會議上發(fā)表的言論表明，三星正順利實現(xiàn)其規(guī)劃的2納米制程良率和芯片性能目標。

Song Jae-hyuk在會議中暗示了其雄心壯志，希望借由2納米GAA節(jié)點的成功，最終能在全球晶圓代工市場上奪取第一名。不過，他也坦言，在追趕臺積電以及應(yīng)對特定技術(shù)與人力資源等挑戰(zhàn)時，公司需要政府提供龐大的支持。

為確保其在下一代節(jié)點中的競爭力，三星已付出了必要的努力。據(jù)悉，三星已經(jīng)完成了第二代2納米GAA制程的基本設(shè)計，同時代號為SF2P+的第三代2納米GAA制程也預(yù)計在未來兩年內(nèi)完成開發(fā)。

三星首款采用2納米GAA技術(shù)的芯片將是自研的SoC-Exynos 2600。初步的內(nèi)部測試結(jié)果顯示，Exynos 2600的性能表現(xiàn)非凡，在多項測試中輕松擊敗了競爭對手蘋果的A19 Pro和高通的Snapdragon 8 Elite Gen 5。更值得注意的是，測試數(shù)據(jù)揭示其AI性能比A19 Pro和Snapdragon 8 Elite Gen 5高出六倍。盡管商業(yè)化產(chǎn)品的實際結(jié)果可能有所不同，但業(yè)界普遍期望三星的2納米GAA技術(shù)能夠帶來實質(zhì)性的效益。

此外，SK海力士企業(yè)總裁Song Hyun-jong也強調(diào)，2納米GAA制程技術(shù)將成為一個“關(guān)鍵的轉(zhuǎn)捩點”。目前，2納米GAA制程技術(shù)的晶圓量產(chǎn)已于9月下旬啟動，首款采用此技術(shù)的芯片為即將問世的三星自研SoC-Exynos 2600。

綜合來看，三星在2納米GAA制程技術(shù)上的突破不僅標志著其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大進展，也為全球晶圓代工市場的競爭格局帶來了新的變數(shù)。隨著技術(shù)的不斷成熟和良率的提升，三星有望在未來幾年內(nèi)顯著提升其在全球半導(dǎo)體市場中的地位。