2025年是電力電子行業(yè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。盡管電動(dòng)汽車(chē)（EV）銷(xiāo)量放緩，但I(xiàn)DTechEx預(yù)測(cè)，到2036年，電動(dòng)汽車(chē)電力電子市場(chǎng)的規(guī)模將增長(zhǎng)兩倍，達(dá)到420億美元。

IDTechEx指出，盡管全球電池電動(dòng)汽車(chē)（BEV）的銷(xiāo)量有所放緩，但其市場(chǎng)滲透率仍在不斷增長(zhǎng)。IDTechEx研究機(jī)構(gòu)認(rèn)為，SiC MOSFET的增長(zhǎng)潛力依然顯著。全球BEV增長(zhǎng)放緩的態(tài)勢(shì)被插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)（PHEV）中牽引逆變器對(duì)SiC MOSFET的增部署所抵消。包括豐田和舍弗勒在內(nèi)的主要原始設(shè)備制造商（OEM）和一級(jí)供應(yīng)商已經(jīng)宣布或發(fā)布了使用SiC MOSFET的PHEV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的詳細(xì)信息。

IDTechEx稱(chēng)，盡管今年像Wolfspeed這樣的設(shè)備供應(yīng)商收入減少，且SiC逆變器需要重新設(shè)計(jì)，但SiC MOSFET如今已成為比一年前更為主流的電動(dòng)汽車(chē)選擇。

推動(dòng)SiC MOSFETs整體成本下降的主要因素是SiC晶圓供應(yīng)商之間的競(jìng)爭(zhēng)加劇。許多公司正在擴(kuò)大SiC晶圓的生產(chǎn)規(guī)模，多數(shù)為200mm晶圓。SiC晶圓的成本遠(yuǎn)高于硅產(chǎn)品，可達(dá)SiC MOSFET芯片總成本的一半。兩年前，只有Wolfspeed和Coherent能夠大規(guī)模生產(chǎn)200mm SiC晶圓。到2025年，Wolfspeed將其200mm SiC晶圓開(kāi)放給更廣泛的市場(chǎng)，英飛凌也擴(kuò)大了200mm SiC晶圓的生產(chǎn)，并在今年早些時(shí)候基于其200mm SiC平臺(tái)交付了首批產(chǎn)品。與此同時(shí)，中國(guó)公司也驗(yàn)證并擴(kuò)大了SiC晶圓的生產(chǎn)，加強(qiáng)了小米、理想等國(guó)內(nèi)OEM的供應(yīng)鏈。

此外，多年來(lái)，GaN（氮化鎵）的材料特性被預(yù)測(cè)將徹底改變功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。除了在數(shù)據(jù)中心電源單元中備受關(guān)注外，汽車(chē)行業(yè)也不應(yīng)被忽視，作為GaN的高增長(zhǎng)潛力市場(chǎng)。GaN已被用于LiDAR和低壓DC-DC轉(zhuǎn)換器，IDTechEx指出，我們即將見(jiàn)證GaN在長(zhǎng)安啟源E07車(chē)載充電器（OBC）中的首次部署。預(yù)計(jì)該車(chē)型將在2026年上市，其GaN器件由Navitas供應(yīng)，標(biāo)稱(chēng)功率密度為6kW/L，遠(yuǎn)高于IDTechEx研究中現(xiàn)有OBC的標(biāo)準(zhǔn)功率密度2kW/L。

此外，還有多家公司正在研發(fā)使用GaN的牽引逆變器的設(shè)計(jì)、控制和功率半導(dǎo)體，包括VisIC Technologies、NXP和Cambridge GaN Devices。盡管IDTechEx認(rèn)為這些技術(shù)的商業(yè)化部署將晚于OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，但使用GaN所帶來(lái)的性能提升和潛在成本節(jié)約將推動(dòng)技術(shù)成熟和市場(chǎng)活躍度，在未來(lái)十年內(nèi)發(fā)揮重要作用。（校對(duì)/趙月）