2025年10月17日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱"中微公司"）在成都高新區(qū)隆重舉行開工儀式，宣布其成都研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部項目正式啟動建設(shè)。該基地的落地，將為中微公司進(jìn)一步提升核心研發(fā)實力與規(guī)?；a(chǎn)能力提供有力保障，助力其持續(xù)鞏固在全球高端半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢。

（來源：中微公司）

開工儀式上，中微公司董事長兼總經(jīng)理尹志堯博士表示，數(shù)碼產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代工業(yè)和國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的核心引擎，而微觀加工設(shè)備和關(guān)鍵材料及零部件是整個數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基石。中微公司成立21年以來，始終專注高端微觀加工設(shè)備的研發(fā)與制造。成都研發(fā)及生產(chǎn)基地專注薄膜沉積設(shè)備等半導(dǎo)體高端制造設(shè)備，是公司實現(xiàn)發(fā)展藍(lán)圖的重要戰(zhàn)略落子，將為持續(xù)推進(jìn)技術(shù)突破、賦能產(chǎn)業(yè)升級提供關(guān)鍵支撐。公司將不斷加快新設(shè)備的研發(fā)速度，在今后的五到十年，通過有機(jī)生長和外延擴(kuò)展，逐步覆蓋集成電路關(guān)鍵領(lǐng)域50%至60%設(shè)備，力爭盡早成為高端設(shè)備平臺化公司，在規(guī)模上和競爭力上成為國際一流的半導(dǎo)體設(shè)備公司。

據(jù)悉，中微公司成都研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部項目一期占地約50畝，建筑面積約7萬平方米，將發(fā)展成為集研發(fā)、制造于一體的綜合性基地，計劃于2027年建成投產(chǎn)，持續(xù)提升公司在薄膜沉積設(shè)備等高端半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的研發(fā)制造能力。成都研發(fā)及生產(chǎn)基地將聚焦薄膜沉積設(shè)備等領(lǐng)域，全力研發(fā)化學(xué)氣相沉積、原子層沉積等關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)，力爭補(bǔ)齊西南地區(qū)在晶圓加工先進(jìn)設(shè)備制造領(lǐng)域的短板，并積極推動上下游合作伙伴共同發(fā)展，助力打造半導(dǎo)體高端裝備產(chǎn)業(yè)鏈集群，為西南地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈升級提供堅實支撐。

2月18日，中微公司與成都高新區(qū)簽訂投資合作協(xié)議，該企業(yè)將在成都高新區(qū)設(shè)立全資子公司并建設(shè)研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部項目。當(dāng)時消息顯示，該項目總投資額約30.5億元，注冊資本1億元，并計劃購地50余畝，用于建設(shè)研發(fā)中心、生產(chǎn)制造基地、辦公用房及附屬配套設(shè)施，以滿足量產(chǎn)需求。項目擬于2025年啟動建設(shè)，2027年正式投入生產(chǎn)。

中微公司致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設(shè)備和工藝技術(shù)解決方案。中微公司開發(fā)的CCP高能等離子體和ICP低能等離子體刻蝕兩大類、包括二十幾種細(xì)分刻蝕設(shè)備已可以覆蓋大多數(shù)刻蝕的應(yīng)用。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國內(nèi)和國際一線客戶，從65納米到5納米及更先進(jìn)工藝的眾多刻蝕應(yīng)用。

中微公司自2004年成立以來，一直致力于開發(fā)和提供等離子體刻蝕、化學(xué)薄膜、量檢測等微觀加工所需的高端關(guān)鍵設(shè)備。該公司在過去14年保持營業(yè)收入年均增長大于35%。在2024年比2023年銷售增長44.7%的基礎(chǔ)上，2025年上半年營業(yè)收入繼續(xù)保持高速增長，同比增長43.9%，達(dá)到49.61億元。此外，該公司持續(xù)加大研發(fā)力度，2025年上半年研發(fā)投入達(dá)到14.92億元，同比增長約53.70%，研發(fā)投入占公司營業(yè)收入比例約為30.07%。目前，中微公司在研項目涵蓋六大類設(shè)備、二十多款新產(chǎn)品的開發(fā)；在化學(xué)薄膜設(shè)備領(lǐng)域，公司正不斷加大研發(fā)投入和產(chǎn)品布局，已成功實現(xiàn)六種薄膜沉積設(shè)備的高效研發(fā)與批量交付，在關(guān)鍵性能上已達(dá)到世界先進(jìn)水平。