2025年上半年，在全球能源變革與人工智能浪潮的雙重推動下，碳化硅（SiC）半導體產(chǎn)業(yè)迎來爆發(fā)式增長。A股各SiC概念股企業(yè)在技術創(chuàng)新、產(chǎn)品迭代和市場開拓三個維度均取得顯著進展，展現(xiàn)出強勁的發(fā)展態(tài)勢。

技術創(chuàng)新：從材料突破到工藝革新

襯底技術領先者天岳先進在材料端實現(xiàn)重大突破，推出業(yè)內(nèi)首款12英寸碳化硅襯底，標志著中國在半導體關鍵基礎材料領域?qū)崿F(xiàn)歷史性突破。公司采用液相法制備無宏觀缺陷的8英寸碳化硅襯底，克服了高質(zhì)量生長界面控制和缺陷控制難題，并率先交付高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底。

三安光電在產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合方面表現(xiàn)突出，完成了650V-2000V全系列SiC MOSFET產(chǎn)品布局，8英寸碳化硅襯底與外延已實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。公司與意法半導體合資的重慶8英寸碳化硅項目已于2025年2月實現(xiàn)通線，目前芯片產(chǎn)品已交付意法半導體進入可靠性驗證階段。

斯達半導自建的6英寸SiC芯片產(chǎn)線隨著量產(chǎn)車型迅速爬坡，芯片和模塊良率均達到國際領先水平。公司推出了第二代SiC MOSFET芯片，覆蓋750V、1200V、1400V、1500V等多個電壓等級，并開發(fā)了適用于光儲行業(yè)的1400V第二代SiC MOSFET芯片平臺，大幅提高了芯片出流能力。

士蘭微電子在芯片技術方面持續(xù)迭代，已完成第Ⅳ代SiC芯片研發(fā)并送樣客戶評測。公司積極推進"士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線"項目建設，目前已形成月產(chǎn)10,000片6英寸SiC-MOSFET芯片的生產(chǎn)能力。

芯聯(lián)集成作為代工企業(yè)代表，其國內(nèi)首條8英寸SiC產(chǎn)線已實現(xiàn)批量量產(chǎn)，關鍵性能指標業(yè)界領先。公司開發(fā)了650V到3300V系列的全面SiC工藝平臺布局，掌握了核心先進制造工藝。

產(chǎn)品迭代：從實驗室走向規(guī)模化應用

各企業(yè)在產(chǎn)品矩陣完善和量產(chǎn)能力方面取得顯著進展。天岳先進已形成6/8/12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣，包括12英寸高純半絕緣型、12英寸導電P型及12英寸導電N型碳化硅襯底，量產(chǎn)8英寸導電型襯底產(chǎn)品質(zhì)量和批量供應能力領先。

聞泰科技旗下安世半導體推出了1200V車規(guī)級SiC MOSFET，具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、超快的開關速度以及超強的短路耐受性，同時推出了1200V、20A碳化硅肖特基二極管，專為滿足工業(yè)應用中對超低功耗整流器的需求而設計。

揚杰科技投資的SiC芯片工廠通過IDM技術實現(xiàn)650V/1200V/1700V的SiC MOS產(chǎn)品從第二代升級到第三代，所有SiC MOS型號實現(xiàn)覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-500mΩ，其中第三代SiC MOS平臺的比導通電阻（RSP）已做到3.33mΩ.cm2以下，F(xiàn)OM值達到3060mΩ.nC以下，可對標國際水平。

華潤微在第三代半導體產(chǎn)品方面，整體產(chǎn)銷規(guī)模保持高增長，目前SiC JBS G3和SiC MOS G2均已完成產(chǎn)品系列化并量產(chǎn)，產(chǎn)品覆蓋主流系列，整體產(chǎn)品性能達到國際領先水平。

A股SiC概念股2025H1產(chǎn)品、技術、市場新進展

市場開拓：從新能源汽車到新興應用全面開花

新能源汽車仍是SiC器件最主要的應用市場。斯達半導的車規(guī)級SiC MOSFET模塊在2025年上半年新增多個量產(chǎn)車型，在國內(nèi)外多個品牌大批量配套上車。公司車規(guī)級IGBT和SiC模塊在歐洲一線品牌Tier 1持續(xù)大批量交付，并持續(xù)新增多個IGBT和SiC MOSFET主電機控制器項目平臺定點。車規(guī)級IGBT和SiC MOSFET模塊同時獲得多個低空飛行器項目定點，并且多個項目開始批量裝機。

三安光電的車載充電機、空調(diào)壓縮機用SiC MOSFET已在十余家Tier 1或整車廠客戶處送樣驗證或?qū)崿F(xiàn)小批量出貨，主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET持續(xù)推進在國內(nèi)頭部電動車企客戶處的技術迭代，并同步導入多家海外Tier 1客戶驗證。

光伏儲能市場在經(jīng)歷調(diào)整后需求回暖。揚杰科技等多家企業(yè)在碳化硅尤其是SiC MOS市場份額持續(xù)增加，光伏、儲能、工業(yè)電源等領域是重要出貨領域。

新興應用領域成為增長新引擎。天岳先進開拓光學領域，與舜宇奧來微納光學（上海）有限公司達成戰(zhàn)略合作，開啟了微納米光學領域和新材料領域兩家龍頭企業(yè)合作新篇章。三安光電的碳化硅光學襯底產(chǎn)品已向AI/AR眼鏡領域的多家客戶小批量交付，面型參數(shù)已處于國際前列。

三安光電碳化硅相關產(chǎn)品同時在數(shù)據(jù)中心及AI服務器電源領域，已向長城、維諦技術、偉創(chuàng)力、臺達、光寶等頭部客戶實現(xiàn)量產(chǎn)。在白色家電領域，已向格力、美的、TCL、小米實現(xiàn)批量供貨，海信、海爾、奧克斯處于送樣驗證階段；低空飛行器領域，已完成與小鵬、億航等客戶的對接工作，將啟動評估送樣工作。

分析發(fā)現(xiàn)，SiC器件的應用領域正加速由新能源汽車向智能駕駛、低空經(jīng)濟、數(shù)據(jù)中心、充電樁、光儲逆變、工業(yè)電源、AI算力、消費電子等新興領域拓展。

值得注意的是，本土企業(yè)也在加速承接國際市場需求，特別是Wolfspeed破產(chǎn)事件，本土企業(yè)成為直接受益者群體，天岳先進等多家A股公司更是加速港股IPO，期望借助國際資本開拓海外市場。

展望未來

隨著全球碳化硅產(chǎn)業(yè)進入深度變革與戰(zhàn)略重組的關鍵階段，中國企業(yè)正從"跟隨者"向"引領者"轉(zhuǎn)變。從天岳先進的12英寸襯底到三安光電的8英寸全線布局，從斯達半導的車規(guī)模塊大規(guī)模上車到芯聯(lián)接集的代工平臺突破，中國碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈已形成從材料、芯片到模組的完整布局，在全球?qū)捊麕О雽w競爭中逐步嶄露頭角。

未來，隨著新能源汽車滲透率持續(xù)提升、AI算力需求爆發(fā)以及能源轉(zhuǎn)型加速，碳化硅產(chǎn)業(yè)將迎來更廣闊的發(fā)展空間。中國企業(yè)憑借持續(xù)的技術創(chuàng)新、快速的產(chǎn)品迭代和靈活的市場策略，有望在全球半導體產(chǎn)業(yè)格局中占據(jù)更加重要的位置。

（校對/鄧秋賢）