2025年9月30日，深圳市發(fā)展和改革委員會發(fā)布“關(guān)于發(fā)布2025年第二批戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)專項資金項目申報指南的通知”，旨在貫徹落實貫徹落實《深圳市人民政府關(guān)于發(fā)展壯大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群和培育發(fā)展未來產(chǎn)業(yè)的意見》《關(guān)于加快發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力進(jìn)一步推進(jìn)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群和未來產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的實施方案》及“20+8”產(chǎn)業(yè)集群相關(guān)領(lǐng)域政策，加快培育發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群。

從支持類別和重點領(lǐng)域來看，圍繞半導(dǎo)體與集成電路、生物醫(yī)藥、高端醫(yī)療器械、大健康、新能源、安全節(jié)能環(huán)保等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點領(lǐng)域，支持相關(guān)單位申報扶持計劃。

其中，半導(dǎo)體與集成電路領(lǐng)域，重點開展集成電路設(shè)計流片、產(chǎn)業(yè)化、創(chuàng)新能力建設(shè)、國家項目配套等扶持計劃。

集成電路設(shè)計流片扶持計劃包括集成電路流片、國產(chǎn)EDA工具推廣應(yīng)用兩大方向；產(chǎn)業(yè)化扶持計劃聚焦高端芯片產(chǎn)品突破、核心設(shè)備及配套零部件突破、關(guān)鍵制造封裝材料突破、高端封裝測試水平提升、化合物半導(dǎo)體技術(shù)水平提升、尖端前沿技術(shù)突破等重點領(lǐng)域；創(chuàng)新能力建設(shè)扶持計劃重點支持建設(shè)半導(dǎo)體與集成電路領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、IC設(shè)計流片平臺、檢測認(rèn)證中心、中試驗證平臺等產(chǎn)業(yè)支撐平臺；國家項目配套扶持計劃，對承擔(dān)國家發(fā)展改革委集成電路領(lǐng)域重大項目、重大技術(shù)攻關(guān)計劃及重點研發(fā)計劃的單位給予配套支持。

以下是半導(dǎo)體與集成電路領(lǐng)域部分內(nèi)容：

一、集成電路設(shè)計流片扶持計劃

（一）集成電路流片

扶持方向：

支持多項目晶圓（MPW）流片、全掩模工程產(chǎn)品流片。

扶持方式及資助金額：

（1）對于參與晶圓制造廠多項目晶圓（MPW）流片的企業(yè)、高校和科研院所，通過專家評審后，按照流片直接費用的30%給予資助，同一單位年度總資助額不超過300萬元。

（2）對于首次完成全掩模工程產(chǎn)品流片（包括自組多項目晶圓流片）的企業(yè)、高校和科研院所，且工藝制程在28納米及以下的，通過專家評審后，按照流片直接費用的30%給予資助，同一單位年度總資助額不超過1000萬元。

以上項目采取事后一次性資助方式。

（二）國產(chǎn)EDA工具推廣應(yīng)用

扶持方向：

支持模擬、數(shù)字、制造、封測等集成電路EDA工具軟件國產(chǎn)化。

扶持方式及資助金額：

（1）對購買國內(nèi)企業(yè)研發(fā)的EDA工具并開展28納米及以下芯片研發(fā)制造的企業(yè)，通過專家評審后，按照購買該EDA工具實際發(fā)生費用的20%給予一次性資助，單個企業(yè)年度資助金額不超過200萬元。

（2）對購買國內(nèi)企業(yè)研發(fā)的EDA工具并開展14納米及以下芯片研發(fā)制造的企業(yè)，通過專家評審后，按照購買該EDA工具實際發(fā)生費用的30%給予一次性資助，單個企業(yè)年度資助金額不超過300萬元。

（3）對購買國內(nèi)企業(yè)研發(fā)的EDA工具并開展7納米及以下芯片研發(fā)制造的企業(yè)，通過專家評審后，按照購買該EDA工具實際發(fā)生費用的50%給予一次性資助，單個企業(yè)年度資助金額不超過500萬元。

以上項目采取事后一次性資助方式。對于同時申報兩項及以上不同制程EDA工具資助的企業(yè)，年度資助金額上限可累加。

二、產(chǎn)業(yè)化扶持計劃

（一）高端芯片產(chǎn)品突破

扶持方向：

（1）面向AI大模型場景需求，支持突破數(shù)據(jù)中心CPU、GPU、DSP、FPGA、ASIC等專用芯片，400G以上帶寬DPU、100G以上激光器芯片、新型光電融合芯片等互聯(lián)芯片，以及高性能高能效存儲芯片。

（2）面向AI手機、AI眼鏡、智能機器人等各類AI終端需求，研發(fā)高性能、高能效專用SoC主控芯片，支持存算一體、存內(nèi)計算等新型架構(gòu)處理器。

（3）面向新能源汽車萬億級市場，支持14納米及以下車規(guī)級高階智駕AI芯片、智能座艙SoC芯片、域控制器MCU、中央域控SoC/MPU芯片的國產(chǎn)替代。

扶持方式及資助金額：

（1）對購買IP開展28納米及以下制程高端芯片研發(fā)的企業(yè)，通過專家評審后，按照IP購買實際支付費用的20%給予資助，單一企業(yè)年度資助金額不超過300萬元。

（2）對購買IP開展14納米及以下制程高端芯片研發(fā)的企業(yè)，通過專家評審后，按照IP購買實際支付費用的30%給予資助，單一企業(yè)年度資助金額不超過500萬元。

（3）支持企業(yè)開展AEC-Q系列可靠性標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證、ISO 26262功能安全管理體系認(rèn)證、AQG 324車規(guī)級半導(dǎo)體模塊認(rèn)證、ISO/TS 16949體系認(rèn)證等車規(guī)級認(rèn)證，對取得相關(guān)認(rèn)證資質(zhì)的企業(yè)，通過專家評審后，按照認(rèn)證實際發(fā)生費用的50%給予資助，單一企業(yè)年度資助金額不超過100萬元。

以上項目采取事后一次性資助方式。

（二）核心設(shè)備及配套零部件突破

扶持方向：

支持開展刻蝕、薄膜沉積、量測檢測等核心設(shè)備及配套零部件技術(shù)研發(fā)。

扶持方式及資助金額：

（1）對于我市集成電路產(chǎn)線、中試線、實驗線為國產(chǎn)設(shè)備提供驗證服務(wù)的，通過專家評審后，按照驗證服務(wù)費用的30%給予產(chǎn)線、中試線、實驗線所屬單位資助，最高不超過200萬元。若集成電路產(chǎn)線、中試線、實驗線為同一研制單位的同一型號設(shè)備提供多次驗證服務(wù)的，僅對其首次驗證服務(wù)給予資助。

（2）對于核心設(shè)備及零部件首次投入產(chǎn)線使用的設(shè)備研制單位，通過專家評審后，按經(jīng)評審核定的產(chǎn)品研發(fā)投入（僅包括用于研發(fā)的設(shè)備、材料、人力資源投入）的30%給予研制單位資助，單一型號設(shè)備及零部件最高不超過1000萬元，同一研制單位最高不超過3000萬元。

以上項目采取事后一次性資助方式。

（三）關(guān)鍵制造封裝材料突破

扶持方向：

支持開展14納米及以下先進(jìn)制程光刻膠、研磨液、掩膜版等制造材料，臨時鍵合膠、聚酰亞胺、底部填充膠、封裝基板等先進(jìn)封裝材料的技術(shù)研發(fā)。

扶持方式及資助金額：

對于我市集成電路產(chǎn)線、中試線、實驗線為國產(chǎn)關(guān)鍵制造及封裝材料提供驗證服務(wù)的，按照驗證服務(wù)費用的30%給予產(chǎn)線、中試線、實驗線所屬單位資助，最高不超過100萬元。若集成電路產(chǎn)線、中試線、實驗線為同一研制單位的同一型號材料提供多次驗證服務(wù)的，僅對其首次驗證服務(wù)給予資助。

該項目采取事后一次性資助方式。

（四）高端封裝測試水平提升

扶持方向：

支持凸塊（Bump）、倒裝（Flip Chip）、晶圓級封裝（WLP）、重布線（RDL）、芯粒（Chiplet）、硅通孔（TSV）、玻璃通孔（TGV）、2.5D封裝、3D封裝、混合鍵合、背面供電、扇出面板級封裝（FOPLP）、光電共封裝（CPO）等一系列先進(jìn)封裝技術(shù)及配套關(guān)鍵材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

扶持方式及資助金額：

對于申報先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的項目，專家評審綜合評分60分以上的進(jìn)入現(xiàn)場核查階段，通過專家評審、現(xiàn)場核查后，市發(fā)展改革委予以批復(fù)立項。項目單位須先自行投入資金組織實施項目，待項目通過驗收后，按經(jīng)審計核定的項目實際研發(fā)投入（僅包括用于研發(fā)的設(shè)備、材料、人力資源投入）的30%給予資助，單個項目不超過1000萬元。該項目采取事后一次性資助方式。

（五）化合物半導(dǎo)體技術(shù)水平提升

扶持方向：

支持化合物半導(dǎo)體芯片、器件、裝備及材料的推廣應(yīng)用。

扶持方式及資助金額：

對銷售自研化合物半導(dǎo)體芯片、器件、裝備及材料且相關(guān)產(chǎn)品年營業(yè)收入首次超過1億元的企業(yè)，通過專家評審后，按照企業(yè)當(dāng)年研發(fā)投入（僅包括用于研發(fā)的設(shè)備、材料、人力資源投入）的30%給予資助，單個企業(yè)最高不超過1000萬元。該項目采取事后一次性資助方式。

（六）尖端前沿技術(shù)突破

扶持方向：

支持自主研發(fā)，突破關(guān)鍵環(huán)節(jié)“卡脖子”技術(shù)或前沿變革性顛覆性技術(shù)。

扶持方式及資助金額：

專家評審綜合評分60分以上的進(jìn)入現(xiàn)場核查階段，通過專家評審、現(xiàn)場核查的項目，市發(fā)展改革委予以批復(fù)立項。項目單位須先自行投入資金組織實施項目，待項目通過驗收后：

（1）對突破關(guān)鍵環(huán)節(jié)“卡脖子”技術(shù)或前沿變革性顛覆性技術(shù)的集成電路領(lǐng)域攻關(guān)項目，按照項目研發(fā)投入（僅包括用于研發(fā)的設(shè)備、材料、人力資源投入）的30%給予資助，單個項目最高不超過3000萬元。該項目采取事后一次性資助方式。

（2）對于集成電路制造、封測、裝備、材料等領(lǐng)域自主研發(fā)取得突破、帶動產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢資源集聚的重大項目，按照項目固定資產(chǎn)投資給予項目單位一定比例的資助，單個項目最高不超過設(shè)定金額。該項目采取分階段資助方式。

三、創(chuàng)新能力建設(shè)扶持計劃

扶持方向：

支持建設(shè)半導(dǎo)體與集成電路領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、IC設(shè)計流片平臺、檢測認(rèn)證中心、中試驗證平臺等產(chǎn)業(yè)支撐平臺。

扶持方式及資助金額：

1.對于成功申報國家產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心的，給予不超過1:1的資金配套，本市配套資金和國家資助資金合計不超過項目總投資的50%，國家專項計劃另有規(guī)定的，從其規(guī)定。項目資助金額按照國家資金撥付進(jìn)度分階段撥付。

2.對于建設(shè)符合我市產(chǎn)業(yè)布局的IC設(shè)計流片平臺、檢測認(rèn)證中心、中試驗證平臺等產(chǎn)業(yè)支撐平臺的項目，專家評審綜合評分60分以上的進(jìn)入現(xiàn)場核查階段，通過專家評審、現(xiàn)場核查后，市發(fā)展改革委予以批復(fù)立項。項目單位須先自行投入資金組織實施項目，待項目通過驗收后，按經(jīng)審計核定的平臺實際建設(shè)投資（不含土建工程部分）的20%給予資助，單個平臺累計不超過3000萬元。該項目采取事后一次性資助方式。

四、國家項目配套扶持計劃

扶持方向：

支持有關(guān)單位承擔(dān)國家發(fā)展改革委開展的半導(dǎo)體與集成電路領(lǐng)域重大項目、重大技術(shù)攻關(guān)計劃和重點研發(fā)計劃。

扶持方式及資助金額：

對于承擔(dān)國家發(fā)展改革委開展的集成電路領(lǐng)域重大項目、重大技術(shù)攻關(guān)計劃和重點研發(fā)計劃的單位，給予不超過1:1的資金配套，本市配套資金和國家資助資金合計不超過項目總投資的50%，國家專項計劃另有規(guī)定的，從其規(guī)定。項目資助金額按照國家資金撥付進(jìn)度分階段撥付。