預(yù)測(cè)顯示，三星電子明年在高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）市場(chǎng)的份額將超過(guò)30%。盡管今年上半年三星電子表現(xiàn)不佳，落后于SK海力士和美光，但分析師預(yù)測(cè)，隨著其下一代產(chǎn)品HBM4全面進(jìn)入英偉達(dá)供應(yīng)鏈，其銷量將有所增長(zhǎng)。

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司Counterpoint Research 9月24日發(fā)布的最新存儲(chǔ)器半導(dǎo)體數(shù)據(jù)，SK海力士在第二季度以62%的市場(chǎng)份額領(lǐng)跑HBM市場(chǎng)。美光科技以21%的市場(chǎng)份額位居第二，三星電子以17%的市場(chǎng)份額位居第三。

Counterpoint Research預(yù)測(cè)，盡管三星電子在第二季度的市場(chǎng)份額低于預(yù)期，但明年其在HBM市場(chǎng)的份額將超過(guò)30%。這得益于該公司即將獲得主要客戶的HBM3E產(chǎn)品認(rèn)證，以及明年憑借HBM4出口擴(kuò)大市場(chǎng)份額的能力。

三星電子推出了比HBM4領(lǐng)先一步的10納米級(jí)第六代（1c）DRAM工藝以及4納米代工工藝。今年7月，該公司完成了采用1c納米工藝的HBM4的開(kāi)發(fā)，并向主要客戶交付樣品，預(yù)計(jì)將于年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉，三星電子正在開(kāi)發(fā)的HBM4通過(guò)提高單元集成密度，與上一代產(chǎn)品相比，功耗提高了40%，數(shù)據(jù)處理速度據(jù)稱可達(dá)11Gbps。開(kāi)發(fā)完成后，該公司近期重啟了此前因?qū)嵤耙?guī)模經(jīng)濟(jì)”戰(zhàn)略而暫停的平澤五號(hào)工廠（P5）的建設(shè)。

該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，隨著HBM4的發(fā)布，韓國(guó)企業(yè)在HBM市場(chǎng)的主導(dǎo)地位將進(jìn)一步鞏固。HBM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)SK海力士已完成HBM4的開(kāi)發(fā)，并于近期建立了量產(chǎn)體系。如果通過(guò)質(zhì)量測(cè)試，預(yù)計(jì)將被搭載于英偉達(dá)的下一代人工智能 (AI) 圖形處理器 (GPU) Rubin，后者計(jì)劃于明年年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。中國(guó)企業(yè)正試圖通過(guò)開(kāi)發(fā)HBM產(chǎn)品在技術(shù)上迎頭趕上，但由于難度較高，目前尚未能夠真正落地。

Counterpoint Research高級(jí)研究員Choi Jung-gu分析道：“中國(guó)正在推進(jìn)HBM3開(kāi)發(fā)，但尚未解決運(yùn)行速度和發(fā)熱等技術(shù)問(wèn)題。最初預(yù)計(jì)今年出貨的產(chǎn)品，很可能要到明年下半年才能實(shí)現(xiàn)?！保ㄐ?duì)/李梅）