近日消息，三星在其第九代V9 QLC NAND閃存技術(shù)的研發(fā)與生產(chǎn)上遭遇重大挫折，因產(chǎn)品被曝存在“根本性設(shè)計(jì)缺陷”，公司已決定推遲該產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)計(jì)劃。這一變故不僅暴露了三星在高端存儲(chǔ)技術(shù)上的瓶頸，也可能對(duì)其在NAND閃存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位構(gòu)成嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。

三星原計(jì)劃在其第九代V9 QLC NAND閃存技術(shù)上實(shí)現(xiàn)技術(shù)飛躍。該產(chǎn)品采用了先進(jìn)的280層堆疊工藝，旨在進(jìn)一步提升存儲(chǔ)密度、降低成本并優(yōu)化性能，以應(yīng)對(duì)AI時(shí)代對(duì)海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的迫切需求。

然而，首批試產(chǎn)的V9 QLC芯片未能達(dá)到預(yù)期性能標(biāo)準(zhǔn)，暴露出嚴(yán)重的設(shè)計(jì)問(wèn)題。這一“根本性缺陷”迫使三星不得不重新評(píng)估和調(diào)整其生產(chǎn)節(jié)奏。目前預(yù)計(jì)，V9 QLC的大規(guī)模量產(chǎn)時(shí)間將推遲至2026年上半年，比原計(jì)劃大幅延后。

目前，在市場(chǎng)份額上，三星依然保持著領(lǐng)先地位。數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度，三星以32.9%的市場(chǎng)份額穩(wěn)居全球NAND閃存市場(chǎng)第一，其相關(guān)業(yè)務(wù)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近24%，達(dá)到52億美元。然而，亮眼的市場(chǎng)份額背后，是其存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部門(mén)（DS部門(mén)）經(jīng)營(yíng)利潤(rùn)的急劇下滑。該季度，DS部門(mén)的經(jīng)營(yíng)利潤(rùn)同比大幅減少94%，僅為0.4萬(wàn)億韓元，這是近六個(gè)季度以來(lái)首次跌破萬(wàn)億韓元大關(guān)，反映出其盈利能力正面臨巨大壓力。

此次QLC技術(shù)的延期，暴露出三星在激烈市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中的被動(dòng)局面。在三星陷入技術(shù)瓶頸的同時(shí)，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手卻在快速追趕甚至實(shí)現(xiàn)超越。日本存儲(chǔ)廠商Kioxia（鎧俠）已成功推出332層V10級(jí)NAND閃存，在堆疊層數(shù)上領(lǐng)先于三星的280層技術(shù)。而韓國(guó)另一大存儲(chǔ)巨頭SK hynix也在QLC領(lǐng)域取得突破，成功實(shí)現(xiàn)了321層2TB QLC NAND的量產(chǎn)。

相比之下，三星最新的高端QLC產(chǎn)品仍停留在上一代V7階段，甚至未能推出V8版本的QLC產(chǎn)品，在技術(shù)迭代速度上明顯落后。

QLC（Quad-Level Cell）閃存因其在單位成本上的顯著優(yōu)勢(shì)，成為存儲(chǔ)海量“冷數(shù)據(jù)”的首選方案，尤其在AI服務(wù)器、云計(jì)算和大數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域需求激增。隨著AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)高密度、低成本存儲(chǔ)的需求持續(xù)擴(kuò)大。然而，三星QLC量產(chǎn)的推遲，可能導(dǎo)致其錯(cuò)失這一關(guān)鍵市場(chǎng)機(jī)遇。有市場(chǎng)預(yù)測(cè)指出，到2026年，三星在QLC市場(chǎng)的份額可能僅占9%，遠(yuǎn)低于其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，這將嚴(yán)重削弱其在下一代存儲(chǔ)技術(shù)格局中的話語(yǔ)權(quán)。

責(zé)編：Jimmy.zhang