據多方信源披露，美光科技已正式向客戶群體發(fā)布通知，即日起全面暫停DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等主流非HBM DRAM內存產品的報價服務，初始暫停周期暫定為一周。

臺媒《經濟日報》報道稱，美光管理層在深入分析客戶 FCST(需求預測)數據后，認為市場存在嚴重的供應缺口，隨即作出暫停全品類報價、重新校準產品定價策略的緊急決策。行業(yè)預測顯示，本次價格調整后，相關產品價格或將出現20%-30%的上浮區(qū)間。其中，汽車電子領域存儲產品的價格漲幅尤為顯著，預計可達70%，涵蓋消費級、工業(yè)級等全應用場景。

從產業(yè)經濟學視角分析，美光此次調價本質上是應對AI推理技術快速發(fā)展帶來的存儲產品結構性變革。隨著AI技術從模型訓練向推理計算及邊緣設備部署延伸，大容量存儲芯片需求呈現爆發(fā)式增長，而供應鏈產能釋放滯后導致供需矛盾加劇。這一市場基本面變化，直接驅動美光采取報價暫停與價格重構措施。目前，全球NAND年消耗量約為800–1000 EB，其中服務器在2025年約占30%。隨著高容量企業(yè)級SSD的采用率提升，供需格局將被重塑，并推動對QLC NAND的需求增長。

值得注意的是，此前西部數據(Western Digital)旗下閃迪(SanDisk)已率先上調NAND Flash產品報價10%，臺灣NAND控制器廠商慧榮科技也已暫停更新報價，等待NAND供應商進一步指引。業(yè)內普遍認為，這一舉動是價格談判前的早期步驟，顯示出漲價共識正在形成，而具體漲幅將在2025年第四季度合約談判前后逐漸明朗。

根據集邦咨詢(TrendForce)數據，2025年第二季度全球DRAM產業(yè)實現總收入316.3億美元，環(huán)比增長17.1%。但市場增長呈現顯著技術分化特征：高帶寬存儲(HBM)產品出貨量同比激增65%，推動SK海力士在DRAM市場占有率超越三星電子躍居首位；反觀消費級存儲市場，需求疲軟態(tài)勢仍在持續(xù)。美光此次價格策略調整，正是對上述市場結構性變化的戰(zhàn)略性回應。

自2025年起，全球存儲產業(yè)巨頭產能調控策略一直處于動態(tài)變化之中，三星電子、SK海力士、美光科技等五大NAND Flash原廠協(xié)同實施10%-15%的產能削減計劃，致使行業(yè)產能利用率降至70%-75%，單季減少約30萬片等效12英寸晶圓產出。在供給側主動收縮疊加AI需求爆發(fā)的雙重作用下，第二季度NAND Flash合約價格環(huán)比上漲3%-8%，企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD)價格漲幅達10%。

此次美光報價策略調整，對下游電子制造企業(yè)，包括消費電子、工業(yè)控制、汽車電子等領域廠商來說，意味著需要重新評估成本結構并調整產品定價體系。同時，也不排除引發(fā)行業(yè)連鎖反應，推動其他存儲芯片廠商跟進價格調整，進而重塑市場競爭格局的可能性。