JSM2008STR PBF250V 集成自舉帶 SD 功能的半橋驅動芯片
關鍵詞： 杰盛微半導體 JSM2008STR 半橋驅動芯片 高壓MOSFET驅動 應用場景
在功率電子領域，半橋驅動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”，其性能直接決定了整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性、效率與可靠性。杰盛微半導體推出的JSM2008STR作為一款 250V 集成自舉帶 SD 功能的半橋驅動芯片，不僅繼承了 IRS2008STR 的核心優(yōu)勢，更在兼容性與實用性上實現(xiàn)了無縫替代，成為高壓 MOSFET 驅動場景的理想選擇。本文將基于數(shù)據(jù)手冊，從性能特性、電氣規(guī)格、設計要點到應用場景進行全面解析。
一、產(chǎn)品概述
JSM2008STR 是一款專為高壓、高速功率 MOSFET 設計的高低側驅動芯片，采用高低壓兼容工藝實現(xiàn)單芯片集成，具備獨立的高側和低側參考輸出通道。其核心優(yōu)勢在于能通過浮動通道驅動高壓側 N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達 250V，完全滿足中高壓功率轉換場景的需求。
從實用性來看，芯片采用 SOP-8 封裝，體積小巧便于 PCB 布局，且能在 - 40℃至 125℃的寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，無論是嚴寒的工業(yè)環(huán)境還是高溫的家電內(nèi)部，都能可靠運行。更重要的是，其邏輯輸入電平兼容 3.3V、5V 和 15V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯輸出，無需額外電平轉換電路，簡化了與控制芯片的接口設計。
二、核心產(chǎn)品特性
1.高壓兼容與自舉設計：支持自舉工作的浮地通道，最高工作電壓 250V，Vs 負偏壓能力達 - 9V，dVs/dt 耐受能力可達 50V/ns，適應高壓瞬態(tài)環(huán)境。
2.邏輯與保護功能：兼容 3.3V、5V、15V 輸入邏輯；集成 VCC 欠壓鎖定電路（正向閾值 8.9V，負向閾值 8.2V），防止欠壓損壞；具備防止直通保護，死區(qū)時間典型值 520ns。
3.高速驅動性能：開通 / 關斷傳輸延時（Ton/Toff）典型值為 650ns/130ns，延遲匹配時間 50ns，輸出級拉電流 / 灌電流能力達 300mA/600mA，驅動響應迅速。
4.寬溫與可靠性：工作溫度范圍 - 40℃~125℃，符合 RoHS 標準，ESD 人體放電模式耐受 1500V，機器放電模式耐受 500V。
三、引腳功能描述
四、關鍵電氣規(guī)格
4.1極限工作范圍(環(huán)境溫度 25℃，以 Vss 為參考)
4.2 推薦工作范圍
4.3 動態(tài)與靜態(tài)特性（VCC=VB=15V，TA=25℃）
五、應用范圍
JSM2008STR 憑借優(yōu)異的性能，廣泛適用于：
家電領域：空調(diào)、洗衣機的電機控制，通過穩(wěn)定驅動功率 MOSFET 實現(xiàn)精準調(diào)速；
能源設備：不間斷電源（UPS）、通用逆變器，保障高壓功率轉換的高效與可靠；
工業(yè)驅動：各類逆變器驅動系統(tǒng)，滿足工業(yè)場景對高可靠性的需求。
作為 IRS2008STR 的完美替代方案，JSM2008STR 在引腳定義、封裝規(guī)格、電氣性能上完全兼容，無需修改 PCB 布局即可直接替換，大幅降低升級成本與開發(fā)周期。
總結
JSM2008STR 以 250V 高壓兼容、多重保護機制、高速驅動性能和完善的設計支持，成為高壓半橋驅動場景的優(yōu)選芯片。無論是新方案設計還是舊產(chǎn)品升級，它都能提供穩(wěn)定可靠的驅動能力，助力工程師打造高效、安全的功率電子系統(tǒng)。如需更多技術細節(jié)，可訪問杰盛微半導體官網(wǎng)（www.jsmsemi.com）獲取完整數(shù)據(jù)手冊。
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