電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道近期，納微半導體宣布將與力積電合作，共同推進業(yè)內(nèi)領先的8英寸硅基氮化鎵技術生產(chǎn)。

納微半導體在公告中指出，力積電有著先進的180nm CMOS工藝能力，運用更小、更先進的工藝節(jié)點，從而在性能、能效、集成度以及成本方面實現(xiàn)全面優(yōu)化。

納微半導體將通過力積電生產(chǎn)其100V至650V的氮化鎵產(chǎn)品組合，以應對超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心和電動汽車等48V基礎設施對氮化鎵技術日益增長的需求。根據(jù)公告，首批由力積電制造的器件預計將在今年第四季度完成認證。其中，100V系列計劃于2026年上半年開始在力積電投產(chǎn)，而650V的器件則將在未來12到24個月內(nèi)從現(xiàn)有的供應商臺積電逐步轉移至力積電進行代工生產(chǎn)。

這一策略調(diào)整，能夠更好地滿足市場對于高效能氮化鎵產(chǎn)品的需求，并進一步推動相關行業(yè)的技術進步與發(fā)展。

納微寬禁帶技術平臺高級副總裁Sid Sundaresan博士表示：“在180nm工藝節(jié)點上進行8英寸硅基氮化鎵的生產(chǎn)，使我們能夠持續(xù)創(chuàng)新，實現(xiàn)更高功率密度、更快速度和更高效率的器件，同時提升成本控制、規(guī)?；芰椭圃炝悸?。”

值得關注的是，此前納微半導體的氮化鎵業(yè)務交由臺積電生產(chǎn)。而臺積電在近期被傳出將退出氮化鎵市場，竹科的晶圓廠相關產(chǎn)線將停止生產(chǎn)。就在7月3日，臺積電發(fā)表聲明表示，經(jīng)過長期業(yè)務的完整評估后，公司決定在未來兩年內(nèi)逐步退出氮化鎵（GaN）業(yè)務?！拔覀冋c客戶密切合作，確保順利過渡，并在此期間繼續(xù)致力于滿足他們的需求?！?br/>
在這之前，臺積電曾對氮化鎵業(yè)務展示了積極的布局與進展。2024年初的年報顯示，公司第二代650V/100V E-HEMT技術已完成可靠性驗證，計劃于2025年投產(chǎn)；同時，臺積電也在積極推進8英寸氮化鎵-on-硅（GaN-on-Si）技術的開發(fā)工作，預計該技術將于2026年開始投產(chǎn)。

但從當下的最新布局來看，臺積電正在進行戰(zhàn)略重心轉移，剝離相對低利潤的GaN代工業(yè)務，轉向高性能計算，或者AI芯片等需求更高的領域、摩根士丹利全球半導體團隊分析指出，臺積電2025年底的CoWoS總產(chǎn)能約為70k，到了 2026年將達到約90-95k，增長33%。英偉達Blackwell架構GPU芯片需求強勁，攬下臺積電七成CoWoS-L先進封裝產(chǎn)能，除此之外，英偉達的Rubin在AI需求的帶動下保持增量。AI領域的需求增長帶動臺積電先進封裝業(yè)務的營收增長。臺積電預計，2025年先進封裝營收占比將超過10%，而2024年的營收占比僅為約8%。

盡管今年氮化鎵市場經(jīng)歷了一些變動，例如專注于碳化硅和氮化鎵等第三代半導體的Wolfspeed宣布進行破產(chǎn)重組，又如臺積電決定退出氮化鎵業(yè)務，氮化鎵依然被視為未來的重要新興技術之一。

作為氮化鎵芯片領域的領導者，納微半導體已經(jīng)推出雙向GaNFast功率芯片、電機驅動專用型GaNSense氮化鎵功率芯片等產(chǎn)品。其中雙向GaNFast功率芯片上通過合并漏極結構、雙柵極控制及集成專利的有源基板鉗位技術，實現(xiàn)雙向開關的突破。其技術在AI數(shù)據(jù)中心、太陽能市場、電動汽車等多個領域取得進展。

在AI數(shù)據(jù)中心領域，納微的氮化鎵與碳化硅技術助力NVIDIA的800V高壓直流（HVDC）架構，應用于功率超過1兆瓦的IT機架。在太陽能市場，650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片將用于太陽能能源解決方案提供商Enphase的下一代IQ9產(chǎn)品中。在電動汽車領域，其大功率GaNSafe技術也被用于商用車載充電機（OBC）應用領域。

那么在臺積電離場之后，接下來有誰能接手呢？業(yè)內(nèi)人士認為，臺積電的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術與力積電的工藝具有較高的兼容性，這使得包括納微在內(nèi)的客戶在轉單時具備較低的成本。此次變動是否將引發(fā)代工行業(yè)格局的調(diào)整，仍有待持續(xù)觀察。