近日，美光科技宣布，率先推出了基于第六代10nm級(jí)制程（美光內(nèi)部命名為1γ）的LPDDR5x內(nèi)存，其數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)10.7Gbps（較準(zhǔn)確值應(yīng)為 10667MT/s），并且在功耗和厚度方面也實(shí)現(xiàn)了顯著的優(yōu)化，將加速旗艦智能手機(jī)上的AI應(yīng)用，帶來更好性能和能效提升。

在性能與速度上，美光科技的1γ LPDDR5x內(nèi)存實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的10.7Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率，這一速度在移動(dòng)設(shè)備中屬于頂級(jí)水平。這一性能提升不僅滿足了AI應(yīng)用對(duì)高帶寬內(nèi)存的需求，也為未來更復(fù)雜的計(jì)算任務(wù)提供了支持。

同時(shí)，與上一代1β產(chǎn)品相比，1γ LPDDR5x在功耗方面降低了20%。這種能效的提升對(duì)于移動(dòng)設(shè)備來說尤為重要，因?yàn)樗兄谘娱L(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間，同時(shí)減少發(fā)熱問題。

此外，1γ LPDDR5x內(nèi)存模塊的厚度僅為0.61mm，比上一代1β產(chǎn)品降低了14%，并且比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品薄6%。這一改進(jìn)為超薄和折疊屏智能手機(jī)的設(shè)計(jì)提供了更大的空間優(yōu)化余地。
1γ制程是美光第一代采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)的DRAM內(nèi)存工藝，此前已在DDR5產(chǎn)品中應(yīng)用。