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消息稱三星明年推出第 10 代 NAND:三重堆疊技術(shù),最高 430 層

2024-04-28 來(lái)源: IT之家
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關(guān)鍵詞: 三星 英偉達(dá) 半導(dǎo)體 芯片

4 月 28 日消息,三星半導(dǎo)體日前宣布量產(chǎn)第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品,位密度(bit density)比上一代產(chǎn)品提高約 50%,通過(guò)通道孔蝕刻技術(shù)(channel hole etching)提高生產(chǎn)效率。


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第九代 V-NAND 采用雙重堆疊技術(shù),在旗艦 V8 閃存的 236 層基礎(chǔ)上,再次達(dá)到了 290 層,主要面向大型企業(yè)服務(wù)器以及人工智能和云設(shè)備。


而業(yè)內(nèi)消息稱三星計(jì)劃明年推出第 10 代 NAND 芯片,采用三重堆疊技術(shù),達(dá)到 430 層,進(jìn)一步提高 NAND 的密度,并鞏固和擴(kuò)大其領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。


市場(chǎng)研究公司 Omdia 預(yù)計(jì),NAND 閃存市場(chǎng)在 2023 年下降 37.7% 后,預(yù)計(jì)今年將增長(zhǎng) 38.1%。為了在快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)中占據(jù)一席之地,三星誓言要大力投資 NAND 業(yè)務(wù)。


IT之家此前報(bào)道,三星高管表示,該公司的目標(biāo)是到 2030 年開(kāi)發(fā)超過(guò) 1000 層的 NAND 芯片,以實(shí)現(xiàn)更高的密度和存儲(chǔ)能力。


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