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美光獲補貼不輸英特爾、臺積電 看好AI PC加速Q(mào)LC NAND SSD滲透

2024-04-26 來源:科技網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: 美光 英特爾 臺積電

美光獲得美國政府61億美元補貼,并看好QLC SSD導入PC滲透率快速提升。李建樑攝


美國晶片法案補助陸續(xù)開獎,記憶體大廠美光(Micron)確定獲得61.4億美元直接補貼,以及75億美元借貸額度,補助金額符合原先外界預期,加計美光于日本取得先進DRAM制程補助,美光在美、日兩地將囊括超過77億美元的補助入袋。


隨著記憶體產(chǎn)業(yè)進入復甦反彈的成長周期,市場供需呈現(xiàn)吃緊下,美光不僅靠著龐大銀彈補助支撐底氣,亦助力美、日重拾先進半導體制造實力的戰(zhàn)略目標,但資源重新分配下,恐將對臺灣供應(yīng)地位帶來挑戰(zhàn)。


作為美國本土唯一記憶體制造商,美光被外界視為美國晶片法案補助的最大贏家之一,雖然61億美元補貼金額不如英特爾的85億美元龐大,但以美光規(guī)劃在2030年前將投入500億美元的總資本支出,取得美國晶片法61億美元補貼,其回報率絲毫不遜于臺積電、英特爾(Intel)。


此外,美光在日本廣島廠新建先進DRAM生產(chǎn)線,繼2022年確定獲得約465億日圓補助后,近期美光積極引進極紫外光(EUV)設(shè)備,日方傳出可望再祭出上看1,920億日圓(12.9億美元)補貼,初估美光將取得日方16億美元入袋。


然而地緣政治牽動全球半導體版圖消長,業(yè)界認為,隨著美、日兩大國競相投入巨資補助,作為美光全球DRAM產(chǎn)出比重達65%的臺灣制造基地,長期供應(yīng)地位恐將遭到稀釋,如何應(yīng)對全球政局帶來資源轉(zhuǎn)換的變革,將為臺系供應(yīng)鏈帶來重大挑戰(zhàn)。


另一方面,看好AI熱潮帶動巨量資料儲存的需求,美光估計,目前QLC NAND SSD導入PC滲透率約20~25%,2024年將可望加速成長推動,AI PC的2大使用關(guān)鍵將帶動SSD搭載容量快速提升,朝向TB等級需求邁進。


美光副總裁暨客戶端儲存事業(yè)部總經(jīng)理Prasad Alluri表示,美光過去已連續(xù)二代推出最高NAND層數(shù)的用戶端 QLC SSD,目前也是全球推出首款整合200層以上QLC NAND的用戶端SSD,從滲透率表現(xiàn)來看,目前PC OEM採用QLC的比重約20~25%。


但這并不是QLC NAND性能不佳,而是過去沒有太多供應(yīng)商的選擇,隨著目前更多競爭對手也推出相關(guān)產(chǎn)品,預期2024年將可望看到滲透率顯著提升,PC OEM客戶將會提升滲透率導入,進入加速成長。


目前美光的2500 NVMe SSD 已向PC OEM制造商進行送樣,採用232層QLC NAND,不僅整合至部份美光旗下品牌Crucial的消費型SSD產(chǎn)品中,Crucial也已正式量產(chǎn)并向企業(yè)儲存裝置客戶出貨 QLC SSD。


隨高速運算、邊緣AI應(yīng)用的快速發(fā)展,記憶體儲存領(lǐng)域需求亦與日俱增,Alluri指出,高頻寬 低耗能是業(yè)界關(guān)注的焦點,也是儲存裝置發(fā)展的關(guān)鍵,PC終端不僅運作大型語言模型,也會有小型模型需要儲存在裝置內(nèi),因此儲存需求必須要高度的能源效率,AI PC對于儲存需求正是美光聚焦發(fā)展的重點。


根據(jù)微軟對AI PC的規(guī)格看法,儲存裝置的最低容量是256GB,這是為了AI應(yīng)用所需,這意味著容量起點已經(jīng)提高了,而目前PC平均儲存容量約在500GB出頭,Alluri認為,兩大因素將促進AI PC容量提升。


首先是LLM和影像語言模型,將耗費大量儲存容量,其次,由于使用者不會立即刪除大量影像,將導致本機儲存的容量也會顯著,因此AI PC的儲存容量將可望從500GB起跳,進入1TB等級。


隨著各家NAND大廠的3D NAND堆疊層數(shù)均超過200層,為了持續(xù)提高密度及降低成本,QLC NAND發(fā)展成為趨勢。


業(yè)界指出,從三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士旗下Solidigm、鎧俠(Kioxia)、長江存儲等各家NAND大廠均已積極投入QLC NAND,推動QLC應(yīng)用從消費級市場,進一步推廣至企業(yè)儲存SSD市場,未來可望推廣于手機客戶和更多應(yīng)用領(lǐng)域。


比起多數(shù)原廠,美光投入QLC NAND開發(fā)較早,目前232層QLC NAND將針對行動、用戶端、邊緣和資料中心儲存裝置等4大領(lǐng)域,強調(diào)具有領(lǐng)先的位元密度,較競爭對手的最新產(chǎn)品高出28%,領(lǐng)先業(yè)界的2400 MT/s NAND介面數(shù)據(jù)傳輸速度,相較前一代產(chǎn)品提高50%,且讀取效能也較前一代產(chǎn)品提升24%。


Pure Storage超大規(guī)模事業(yè)部總經(jīng)理Bill Cerreta表示,計畫在2028年之前更換資料中心的所有傳統(tǒng)硬碟HDD,而美光232層QLC NAND將是關(guān)鍵推動的因素。


業(yè)界指出,AI伺服器對于電力消耗龐大,SSD節(jié)能優(yōu)勢將成為儲存裝置的優(yōu)先考量,加上HDD具有高延時問題,將導致性能降低20%,等于浪費CPU和DRAM性能,相當于對整體成本影響,市場預期,2024年QLC NAND應(yīng)用于SSD位元出貨將呈現(xiàn)大幅倍增成長。



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