據(jù) TrendForce數(shù)據(jù)顯示，隨著能源效率成為人工智能推理服務(wù)器的首要任務(wù)，北美客戶(hù)正在增加存儲(chǔ)產(chǎn)品的訂單。這反過(guò)來(lái)又推動(dòng)了對(duì) QLC 企業(yè)級(jí) SSD 的需求。目前，只有 Solidigm 和三星擁有經(jīng)過(guò)認(rèn)證的 QLC 產(chǎn)品，其中 Solidigm 正在積極推廣其 QLC 產(chǎn)品，并將從需求激增中獲益最多。

TrendForce預(yù)測(cè) QLC 企業(yè)級(jí) SSD 的出貨量將在 2024 年達(dá)到 30EB，較 2023 年增長(zhǎng)四倍。

TrendForce認(rèn)為QLC SSD在AI應(yīng)用中的使用越來(lái)越多的兩個(gè)主要原因：

• 產(chǎn)品的快速讀取速度

• TCO（總體擁有成本）優(yōu)勢(shì)

AI推理服務(wù)器主要執(zhí)行讀取操作，其發(fā)生頻率低于AI訓(xùn)練服務(wù)器所需的數(shù)據(jù)寫(xiě)入頻率。與 HDD 相比，QLC 企業(yè)級(jí) SSD 提供卓越的讀取速度，并且容量已擴(kuò)展至 64 TB。

此外，通用服務(wù)器中使用的主流HDD通常提供20到24TB的容量，而單個(gè)64TB QLC企業(yè)級(jí)SSD不僅功耗更低，而且存儲(chǔ)容量所需的空間也更少，從而顯著降低TCO。

隨著AI訓(xùn)練成為高能耗應(yīng)用，存儲(chǔ)產(chǎn)品越來(lái)越重視能源效率，大容量QLC企業(yè)級(jí)SSD成為各大AI客戶(hù)追捧的解決方案。

QLC SSD 供應(yīng)商所剩無(wú)幾

TrendForce報(bào)告顯示，2023年第4季度，三星在企業(yè)級(jí)SSD領(lǐng)域占據(jù)了40%以上的市場(chǎng)份額，而QLC企業(yè)級(jí)SSD的老牌廠商Solidigm，合計(jì)市場(chǎng)份額（SK集團(tuán)）為32%。其他市場(chǎng)份額低于 10% 的供應(yīng)商的增長(zhǎng)潛力有限。

由于QLC訂單不斷增加，Solidigm計(jì)劃在2H24擴(kuò)大其144層器件的生產(chǎn)。專(zhuān)注于176層器件且沒(méi)有面臨重大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的三星正受益于大容量QLC產(chǎn)品的供應(yīng)緊張。預(yù)計(jì)這將推動(dòng)企業(yè)級(jí) SSD 合同價(jià)格在第三季度上漲，預(yù)計(jì)季度漲幅為 5% 至 10%。

消費(fèi)者需求下滑，NAND Flash晶圓價(jià)格呈現(xiàn)疲軟跡象

對(duì)其他最終用戶(hù)需求的觀察表明，PC 和智能手機(jī)客戶(hù)的 NAND 閃存庫(kù)存持續(xù)上升。客戶(hù)端 SSD、eMMC 和 UFS 等產(chǎn)品的平均售價(jià)在短期內(nèi)已從低點(diǎn)反彈超過(guò) 60%。然而，由于需求滯后，預(yù)計(jì)價(jià)格進(jìn)一步上漲將放緩。模塊制造商通過(guò)在現(xiàn)貨市場(chǎng)上以低于合同價(jià)格出售 NAND Flash 晶圓來(lái)減少庫(kù)存，進(jìn)一步壓低價(jià)格。

TrendForce認(rèn)為，由于NAND Flash供應(yīng)商計(jì)劃于2H24提高產(chǎn)能利用率，消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的季度合約價(jià)格將面臨挑戰(zhàn)，導(dǎo)致NAND Flash的季度合約價(jià)格表現(xiàn)較企業(yè)級(jí)SSD弱。

附：量化SLC、MLC、TLC、QLC性能對(duì)比

• SLC（Single-Level Cell）：即單層單元閃存，每個(gè)單元存儲(chǔ) 1 個(gè)比特的數(shù)據(jù)。

• MLC（Multi-Level Cell）：即多層單元閃存，每個(gè)單元存儲(chǔ) 2 個(gè)比特的數(shù)據(jù)。

• TLC（Triple-Level Cell）：即三層單元閃存，每個(gè)單元存儲(chǔ) 3 個(gè)比特的數(shù)據(jù)。

• QLC（Quad-Level Cell）：即四層單元閃存，每個(gè)單元存儲(chǔ) 4 個(gè)比特的數(shù)據(jù)。

化一下就是：

• SLC（單層存儲(chǔ)單元）理論擦寫(xiě)次數(shù)10萬(wàn)次，

• MLC（雙層存儲(chǔ)單元）3000-10000次；

• TLC（三層存儲(chǔ)單元）500-1000次；

• QLC（四層存儲(chǔ)單元）僅僅150次

綜合來(lái)看：

• 存儲(chǔ)密度：QLC > TLC > MLC > SLC。QLC 每個(gè)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)最多，因此密度最高。

• 讀寫(xiě)性能：SLC > MLC > TLC > QLC。SLC 的讀寫(xiě)性能最佳，因?yàn)槊總€(gè)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)最少，讀寫(xiě)時(shí)干擾最小。

• 壽命：SLC > MLC > TLC > QLC。SLC 的壽命最長(zhǎng)，因?yàn)槊總€(gè)單元的存儲(chǔ)壓力較小。

• 價(jià)格：SLC > MLC > TLC > QLC。SLC 的成本最高，因此價(jià)格最貴。