業(yè)界人士指出，某科技企業(yè)即將發(fā)布的芯片預計性能接近5納米，這是中國芯片的又一個重大進展，凸顯出中國芯片行業(yè)在各方的協(xié)作下再次打破芯片工藝的限制，為國產(chǎn)芯片開辟了新道路。

此前這家科技企業(yè)就以國內(nèi)現(xiàn)有的芯片設(shè)備生產(chǎn)出接近7納米工藝的芯片，凸顯出它的創(chuàng)新性，以及國內(nèi)諸多芯片技術(shù)人才在技術(shù)研發(fā)方面的獨特優(yōu)勢。

以現(xiàn)有的DUV光刻機生產(chǎn)7納米工藝，最早是臺積電量產(chǎn)成功的，當時臺積電先是以DUV光刻機生產(chǎn)7納米工藝，確保7納米工藝的進展，隨后再以EUV光刻機生產(chǎn)7納米工藝，進一步提升性能。

臺積電如此做法也證明了它的正確性，三星則比臺積電提前一年以EUV光刻機生產(chǎn)7納米工藝，導致良率偏低、成本偏高，客戶不接受，最終大多數(shù)芯片企業(yè)都接受了臺積電的7納米工藝，三星則未能以更先進的7納米搶到客戶。

談到臺積電先進工藝的研發(fā)，就不得不提到臺積電前副總裁林本堅，他被譽為浸潤式DUV光刻機之父，林本堅最先研發(fā)出浸潤式DUV光刻機技術(shù)，不過當時占優(yōu)勢的日本光刻機企業(yè)看不上，處于窘境中的ASML找上門來合作，ASML也由此迅速成為全球最大的光刻機企業(yè)，由此雙方一直合作研發(fā)浸潤式DUV光刻機。

林本堅為臺積電快速推進先進工藝的研發(fā)立下了汗馬功勞，他當然清楚DUV光刻機的極限，去年林本堅就指出中國完全可以DUV光刻機生產(chǎn)5納米，如今中國芯片企業(yè)即將量產(chǎn)5納米，印證了林本堅的預測。

中國這家科技企業(yè)當年也與臺積電一起推進芯片制造工藝，從16納米一直到5納米，雙方都有合作。與蘋果只是將芯片交給臺積電生產(chǎn)不同，這家中國科技企業(yè)與臺積電一直都深入合作研發(fā)先進工藝。

當年臺積電量產(chǎn)的第一代16納米工藝性能較差，導致全球僅有兩家芯片企業(yè)采用，中國這家科技企業(yè)正是第一代16納米工藝的客戶之一，隨后雙方又合作研發(fā)16納米FinFET工藝，才獲得全球芯片企業(yè)的認可，此后一直到5納米工藝，這家中國科技企業(yè)都是臺積電先進工藝的嘗鮮客戶，有力地幫助臺積電提升了工藝良率。

如此做法也為這家中國科技企業(yè)積累了不少的芯片工藝研發(fā)技術(shù)，它在去年推出的5G芯片采用國產(chǎn)7納米工藝，就被認為它出了大力；如今有望推出國產(chǎn)的5納米工藝可以說是順理成章吧，國產(chǎn)芯片工藝的進展，對于國內(nèi)芯片企業(yè)具有很重要的意義，畢竟如今手機芯片、AI芯片都需要先進的工藝。

國產(chǎn)先進工藝的進展，對于這家中國科技企業(yè)來說同樣非常重要，它的諸多芯片諸如手機芯片、服務(wù)器芯片、AI芯片等都需要先進工藝，但是臺積電卻無法為它代工，這促使它不得不深入芯片工藝研發(fā)，這也將幫助它進一步搶占國內(nèi)市場。