據(jù)外媒報(bào)道指高通已要求臺(tái)積電和三星提供2納米工藝樣板，預(yù)計(jì)在2025年同時(shí)給這兩家芯片代工企業(yè)的2納米工藝下單，這意味著臺(tái)積電的2納米工藝能如期在2025年量產(chǎn)，對(duì)美國的芯片產(chǎn)業(yè)計(jì)劃無疑是一大打擊。

美國芯片龍頭Intel在2014年之前一直都引領(lǐng)著全球芯片工藝的發(fā)展，而臺(tái)積電、三星等在那時(shí)候一直跟著Intel吃屁，不過Intel也是在2014年量產(chǎn)14納米工藝之后就陷入停滯，芯片工藝研發(fā)連續(xù)5年無法取得進(jìn)展。

臺(tái)積電和三星此后卻一直保持著1-2年時(shí)間升級(jí)一次芯片制造工藝，到了7納米工藝之后終于實(shí)現(xiàn)了對(duì)Intel的反超，而Intel那時(shí)候才量產(chǎn)10納米工藝，在芯片工藝方面的落后直接導(dǎo)致美國芯片對(duì)臺(tái)積電的依賴性加大，美國芯片大多都將芯片交給臺(tái)積電代工。

這幾年美國迫使臺(tái)積電和三星赴美設(shè)廠，被認(rèn)為是美國試圖獲取他們的芯片技術(shù)機(jī)密，進(jìn)而幫助Intel等美國芯片企業(yè)重新掌控芯片技術(shù)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，到了今年美國的做法已經(jīng)越發(fā)明顯了，這讓臺(tái)積電和三星頗為不安。

據(jù)悉全球最大的光刻機(jī)企業(yè)ASML預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)10臺(tái)2納米光刻機(jī)，其中有6臺(tái)已確定給Intel，美國希望通過將最多的2納米光刻機(jī)交給Intel，幫助Intel加速在2025年量產(chǎn)2納米工藝，這讓業(yè)界擔(dān)憂臺(tái)積電可能會(huì)在2納米工藝方面落后。

如今高通給出的消息意味著臺(tái)積電已在推進(jìn)2納米工藝，甚至已具備制造樣板的能力，這意味著臺(tái)積電當(dāng)前的2納米工藝已取得了重大進(jìn)展，這也將確保臺(tái)積電繼續(xù)保持芯片制造工藝領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

臺(tái)積電能如此確保先進(jìn)工藝的進(jìn)展顯然并非完全是靠光刻機(jī)等先進(jìn)設(shè)備，這點(diǎn)當(dāng)年在7納米工藝上就有所體現(xiàn)，當(dāng)時(shí)業(yè)界都認(rèn)為需要用到第一代EUV光刻機(jī)才能量產(chǎn)7納米工藝，而臺(tái)積電硬是用原有的DUV光刻機(jī)量產(chǎn)了7納米工藝。

與此同時(shí)，三星卻是最先采用了EUV光刻機(jī)量產(chǎn)7納米工藝，但是三星卻遭遇了良率問題以及芯片工藝技術(shù)水平未能達(dá)到預(yù)期，最終多數(shù)芯片企業(yè)采用了臺(tái)積電的7納米工藝；如今在3納米工藝上，三星也是激進(jìn)地引入了GAA技術(shù)，再次導(dǎo)致3納米工藝良率低至兩成，臺(tái)積電則保守地在3納米工藝上繼續(xù)采用FinFET技術(shù)而取得了55%的良率。

如此或許能理解臺(tái)積電如今繼續(xù)以第一代EUV光刻機(jī)研發(fā)2納米工藝的考慮，2納米EUV光刻機(jī)或許也存在一些技術(shù)問題，臺(tái)積電坐視Intel搶到最多的2納米EUV光刻機(jī)，或許也看著Intel先嘗試這一代EUV光刻機(jī)的技術(shù)，等看清技術(shù)問題后再引進(jìn)生產(chǎn)2納米，如此即使臺(tái)積電第一代2納米工藝技術(shù)水平不夠優(yōu)秀但是在良率方面有足夠競(jìng)爭力就能確保技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

經(jīng)歷了3納米良率偏低的教訓(xùn)，以及此前7納米以及GAA技術(shù)的困難，臺(tái)積電可能更趨于保守了，不愿過于冒進(jìn)地采用先進(jìn)技術(shù)，而優(yōu)先考慮良率問題，摸清各種技術(shù)難題再全面引進(jìn)多種新技術(shù)，最終成為最后的贏家。