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半導體巨頭宣布擴產(chǎn),HBM成存儲芯片最吸金賽道

2024-01-31 來源:賢集網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: 人工智能 芯片 GPU

全球AI算力持續(xù)緊缺,HBM正在成為當前AI賽道的新興爆發(fā)風口。

AI服務(wù)器對芯片內(nèi)存容量和傳輸帶寬的更高要求,促使HBM突破內(nèi)存瓶頸,成為AI GPU存儲單元的理想方案和關(guān)鍵部件。因此,HBM的需求正在井噴式增長。

為滿足這一需求,臺積電正在緊急擴充SolC系統(tǒng)整合單芯片產(chǎn)能,并預計明年月產(chǎn)能將達到3000片以上。而SK海力士也開始招聘邏輯芯片設(shè)計人員,計劃將HBM4通過3D堆疊直接集成在芯片上。

據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce預測,高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM芯片已成為主流趨勢,2023年全球搭載HBM總?cè)萘繉⑦_2.9億GB,同比增長近60%。根據(jù)SK海力士預測,到2027年,HBM市場將出現(xiàn)82%的復合年增長率,HBM未來的市場前景非常廣闊。


SK海力士計劃將HBM產(chǎn)能增加一倍以上

韓國半導體制造商SK海力士(SK hynix Inc.)將擴大其高帶寬內(nèi)存(High Bandwidth Memory)生產(chǎn)設(shè)施投資,以應(yīng)對高性能AI產(chǎn)品需求的增加。該公司計劃,對通過硅通孔(TSV)相關(guān)的設(shè)施投資將比2023年增加一倍以上,力圖將產(chǎn)能翻倍,并計劃在2024年上半年開始生產(chǎn)其第五代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品HBM3E。

SK海力士財報顯示,該公司第四財季實現(xiàn)了1131萬億韓元(約84.6億美元)的營收和3460億韓元(約2.59億美元)的運營利潤,這標志著該公司連續(xù)五個季度營業(yè)虧損后再度轉(zhuǎn)為盈利。

SK海力士扭虧為盈主要歸因于HBM3(High Bandwidth Memory 3)和DDR5(Double Data Rate 5)的強勁銷售。與上一年相比,SK海力士在2023年的DDR5和HBM3銷售額分別增加了四倍和五倍以上。為了繼續(xù)這一上升趨勢,SK海力士計劃開始大規(guī)模生產(chǎn)人工智能芯片HBM3E,并加快第六代HBM4的開發(fā)。

“我們預計HBM3E產(chǎn)品在2024年將會有巨大的需求,計劃在年初開始大規(guī)模生產(chǎn)。我們打算根據(jù)這一需求將TSV產(chǎn)能翻倍,”公司在一次電話會議中表示。關(guān)于是否追加投資,公司還表達了更謹慎的立場,“要等經(jīng)過對長期需求、市場條件和供應(yīng)鏈狀況的慎重考慮后再做決定?!?br style="white-space: normal; color: rgb(102, 102, 102); font-family: 宋體; font-size: 12px;"/>
SK海力士計劃準備生產(chǎn)MCRDIMM和LPCAMM2,前者是一種將多個DRAM集成到一個基板上的高容量服務(wù)器模塊,后者是一種基于低功耗(LP) DDR5X的高性能移動模塊,二者旨在滿足AI服務(wù)器需求和設(shè)備端AI市場。

在專注于生產(chǎn)高附加值產(chǎn)品的同時,SK海力士計劃將資本支出的增長最小化,強調(diào)穩(wěn)定的業(yè)務(wù)運營?!芭c上一年相比,我們將投資削減了一半以上,以應(yīng)對需求疲軟的情況。我們在2024年的策略是保持謹慎的態(tài)度,專注于確保增長和盈利的領(lǐng)域,同時避免增加投資導致進入供應(yīng)過剩的周期?!笔紫攧?wù)官金宇賢表示。


三家巨頭壟斷全球

國產(chǎn)布局不夠完善


目前,SK海力士、三星、美光三家公司壟斷了全球的HBM市場份額。SK海力士占50%左右,三星占 40%左右,美光占10%左右。

AI服務(wù)器需要在短時間內(nèi)處理大量數(shù)據(jù),對數(shù)據(jù)傳輸速率有著越來越高的要求,服務(wù)器的內(nèi)存帶寬必須勝任,此時當仁不讓的就是HBM。

智能汽車自動駕駛系統(tǒng)處理和傳輸?shù)男畔⒑蛿?shù)據(jù)十分龐大,正是HBM的大顯身手之地。

AR和VR領(lǐng)域采用高分辨率的顯示器,HBM的超強寬帶能為它們提供巨大助力。

因此,HBM是存儲芯片的發(fā)展方向,在高性能計算、大數(shù)據(jù)處理、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用,市場需求急切。HBM的技術(shù)比較復雜,并不是將多個DDR DRAM簡單地堆疊,需要將傳輸信號、指令、電流等都進行重新設(shè)計,還要解決功耗和散熱的難題,并且對封裝工藝的要求也高了很多。

我國國內(nèi)的HBM起步較晚,相關(guān)產(chǎn)業(yè)布局力度不大。

在材料領(lǐng)域,包括神工股份、雅克科技、華海誠科、天承科技、聯(lián)瑞新材、壹石通、宏昌電子等在內(nèi)的眾多公司,已經(jīng)開始進行研發(fā)和生產(chǎn)。

在經(jīng)銷領(lǐng)域,香農(nóng)芯創(chuàng)、雅創(chuàng)電子等公司正在積極推廣和銷售HBM相關(guān)產(chǎn)品。

設(shè)備方面,中微公司、盛美上海、新益昌、賽騰股份等公司都在提供關(guān)鍵的設(shè)備支持。長川科技則專注于提供測試機和分選機等重要設(shè)備。

封裝環(huán)節(jié),長電科技、通富微電、華天科技、深科技、盛合晶微等公司都具備了先進的封裝技術(shù),為HBM產(chǎn)品的生產(chǎn)提供了重要保障。

在存儲領(lǐng)域,兆易創(chuàng)新等公司已經(jīng)成為了HBM存儲技術(shù)的重要提供者。


結(jié)語

由于HBM相比傳統(tǒng)的GDDR和DRAM具備更高的帶寬,正在成為滿足日益增長的數(shù)據(jù)流量需求的理想解決方案。

HBM憑借其高帶寬的優(yōu)勢,不僅在AI芯片領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用,未來更有望在各類邏輯芯片、通信行業(yè)交換機與路由器等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。



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