各大內(nèi)存產(chǎn)品上標(biāo)注的“40-40-40-77”的一連串?dāng)?shù)值，有高有低。不同產(chǎn)品的數(shù)值，還會(huì)出現(xiàn)顯著的差異，幾乎一個(gè)產(chǎn)品一個(gè)數(shù)值，這到底是什么呢？下面就來聊一聊內(nèi)存時(shí)序。


內(nèi)存時(shí)序是什么意思？

內(nèi)存頻率是一個(gè)數(shù)字，而內(nèi)存時(shí)序則是一大串?dāng)?shù)字，最常用的就有4個(gè)，表述的時(shí)候中間用破折號(hào)隔開，例如16-18-18-38。

這些數(shù)字都表示延遲，也就是內(nèi)存的反應(yīng)時(shí)間。當(dāng)內(nèi)存接收到CPU發(fā)來的指令后，通常需要幾個(gè)時(shí)鐘周期來處理它，比如訪問某一塊數(shù)據(jù)，這就對(duì)應(yīng)時(shí)序參數(shù)。

內(nèi)存時(shí)序分別都有著特定的代號(hào)，按照順序分別為CL、tRCD、tRP、tRAS，這四個(gè)代號(hào)全是縮寫，第一個(gè)CL，即CAS Latency，它描述的是內(nèi)存列地址訪問的延遲時(shí)間，這也是時(shí)序中最重要的參數(shù)；第二個(gè)tRCD，即RAS to CAS Delay，是指內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間；第三個(gè)tRP，即RAS Precharge Time，表示內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間；第四個(gè)tRAS，即RAS Active Time，描述的是行地址激活的時(shí)間。


內(nèi)存時(shí)序高好，還是低好？

內(nèi)存在處理各種任務(wù)操作時(shí)遇到的固有延遲的一種數(shù)值描述，或者更本質(zhì)更白話一點(diǎn)，時(shí)序指的是內(nèi)存處理工作和操作時(shí)的具體延遲時(shí)間，從這個(gè)定義上而言，時(shí)序自然是越小越好；

同時(shí)，影響內(nèi)存延遲，或者說描述延遲的時(shí)序種類有很多，我們常規(guī)產(chǎn)品上列出的4種，是對(duì)內(nèi)存影響最大，最為顯著的部分。


內(nèi)存時(shí)序c30和c36的差距

內(nèi)存時(shí)序c30和c36的差距是250g左右，C36實(shí)際內(nèi)存為512 glc30，實(shí)際內(nèi)存調(diào)為256g，而一個(gè)內(nèi)存條所含有的內(nèi)存通常為70g，所以，c36和c30之間的內(nèi)存條差距為250g左右。

DDR5內(nèi)存時(shí)序C30和C36的差距在于它們的時(shí)鐘周期數(shù)不同。具體地說，C30是在30個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)完成數(shù)據(jù)傳輸，而C36需要36個(gè)時(shí)鐘周期。這意味著C36比C30更慢，因?yàn)樗枰L(zhǎng)的時(shí)間來完成數(shù)據(jù)傳輸。

這種差距可能會(huì)對(duì)內(nèi)存的性能產(chǎn)生一定的影響，因?yàn)楦臅r(shí)序意味著更長(zhǎng)的等待時(shí)間。然而，實(shí)際的影響取決于具體的使用情況和系統(tǒng)配置，因?yàn)閮?nèi)存性能受到多種因素的影響，如內(nèi)存容量、帶寬和延遲等。

因此，在選擇DDR5內(nèi)存時(shí)，需要綜合考慮多種因素，包括時(shí)序、容量、帶寬和價(jià)格等。根據(jù)具體的需求和預(yù)算，選擇最適合的內(nèi)存配置可以幫助提高系統(tǒng)性能并提高用戶體驗(yàn)。