10月13日，譽鴻錦半導體在深圳國際會展中心（寶安新館) 正式舉辦氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會，暨譽鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會活動。發(fā)布會由譽鴻錦品牌戰(zhàn)略官張雷主持，首次向行業(yè)展示了Super IDM產業(yè)集群的生態(tài)模式，帶來了氮化鎵半導體產業(yè)鏈的效率革命。實現(xiàn)了1.5年從建廠到中試線穩(wěn)定產能1.5萬片、7天外延至成品器件周期、量產平均良率85%、研發(fā)周期和建線成本較行業(yè)減少2/3的驚人成果。超過十多家媒體，多個地方政府招商團、數(shù)十個行業(yè)投資機構，幾十個上下游企業(yè)代表參與了該發(fā)布會。

發(fā)布會上，譽鴻錦提出“第三代化合物半導體在普及率上和硅基器件相比仍有數(shù)量級差距”的行業(yè)現(xiàn)實問題，在“如何實現(xiàn)更快、更大規(guī)模的氮化鎵應用推廣”這個關乎產業(yè)效率的問題上，譽鴻錦半導體通過回歸產業(yè)價值的本質，提出”產業(yè)價值=能效提升-替換成本>0“的解題思路，認為高性能是推動應用創(chuàng)新的動力，而低成本則是推動應用普及的基礎。

現(xiàn)場為觀眾講述譽鴻錦如何從第一性原理出發(fā)來提升良率和生產效率以及降低產線的成本，并通過全流程IDM集成的方式減少過程中的時間成本和經濟成本的損耗，最終實現(xiàn)匹敵于硅器件的產業(yè)鏈效率和成本。

同時展示了譽鴻錦目前已實現(xiàn)的極低外延翹曲控制、均勻性的GaN層厚度以及精準可控的載流子調控等自主關鍵技術能力，并具備在氮化鎵、硅、碳化硅和藍寶石襯底上外延生長氮化鎵材料的技術矩陣，和功率電子、激光與顯示、射頻全產品能力。體現(xiàn)了譽鴻錦強大的基于KNOW HOW的正向研發(fā)能力，可以根據(jù)目標需求，自由選擇甚至開拓新的技術路線，并實現(xiàn)快速制樣和驗證，直至導入量產。

憑借85%平均量產良率獲得高一致性器件，高集成度IDM-7天制造周期、高研發(fā)效率使時間縮短2/3，自研設備和設備國產化使成本降低2/3，終端應用產業(yè)群集成，譽鴻錦實現(xiàn)了“產業(yè)效率革命=高良率x IDM整合x高研發(fā)效率x設備降本x快速應用驗證”。 

現(xiàn)場播放的工廠全線實拍視頻，展示了譽鴻錦在行業(yè)里數(shù)量最多、工序最為齊全的設備產線，并第一次提出了包括設備&材料端、自主全流程IDM、銷售與技術服務體系群以及終端產品應用生態(tài)鏈的Super IDM產業(yè)集群概念，即“Super IDM產業(yè)集群 = 上游設備材料+IDM+終端技術應用+零售服務生態(tài)鏈”。 基于該產業(yè)集群的深度耦合，實現(xiàn)上游設備自主可控、成本下降，IDM環(huán)節(jié)極致效率，應用終端快速導入和批量驗證，實現(xiàn)推動氮化鎵產業(yè)快速普及的產業(yè)目標。

在產品發(fā)布環(huán)節(jié)，譽鴻錦發(fā)布了從100V-650V-900~1200V的全功率段器件，能應用于多種電力電子領域。其中包括行業(yè)首個氮化鎵SBD器件，以及900V藍寶石基氮化鎵晶圓的實物展示引起了行業(yè)的重點關注。

在與高校和企業(yè)戰(zhàn)略合作協(xié)議簽署環(huán)節(jié)后，譽鴻錦團隊就記者所關心的各類問題接受了采訪和解答，并和意向的招商團隊、投資機構和上下游合作開展了互動。后續(xù)譽鴻錦將啟動媒體開放日活動，邀請前往撫州工廠，參觀和了解國內良率最高、效率最高的IDM產線。

從發(fā)布會現(xiàn)場的火爆人數(shù)和觀眾的熱烈反響可以看出，譽鴻錦半導體此次氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會取得圓滿成功。

2024年11月6日-8日

Electronic Sourcing Show 2024

深圳國際會展中心（寶安新館）