寬禁帶半導體是指具有寬禁帶能隙的半導體材料，例如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，寬禁帶半導體在領域中具有廣泛應用前景。

根據市場調研機構的數據，寬禁帶半導體市場的全球規(guī)模預計將從 2020 年的 27.6 億美元增長到 2027 年的 86. 5億美元，年復合增長率達到 17.5%。其中，碳化硅（SiC）半導體市場規(guī)模較大，占據了市場份額的大部分，而氮化鎵（GaN）市場規(guī)模也在逐年增長。預計未來幾年，隨著新能源汽車的普及和5G基礎設施建設的加速推進，寬禁帶半導體市場 將持續(xù)保持高速增長。 

由深圳市電子商會和 Bodo’s 功率系統(tǒng)雜志主辦，China i2i Group，溢輝源展覽（深圳）有限公司協(xié)辦，將于今年10月12日在深圳國際會展中心(寶安新館) 3號館 3H88 會議區(qū)線下舉辦 Bodo’s 寬禁帶半導體論壇。該活動已連續(xù)6年在德國成功舉辦，聚集了全球數百名行業(yè)專家，分享寬禁帶半導體領域的技術發(fā)展和最新成就。

現場嘉賓云集，大師云聚，將給現場觀眾呈現了一場充滿干活的視聽盛宴。即刻掃描下方二維碼，提前預登記，進場快人一步！10月11-13日，深圳國際會展中心，期待您的到來！

ESSHOW 組團請聯(lián)絡：

For visitor enquiry, please contact:

陳倩怡 女士，Ms. Stephenie Chan

電話：0755-83796797

郵箱：Stephenie_chan@esshow.cn