寬禁帶半導(dǎo)體是指具有寬禁帶能隙的半導(dǎo)體材料，例如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，寬禁帶半導(dǎo)體在領(lǐng)域中具有廣泛應(yīng)用前景。

根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)的數(shù)據(jù)，寬禁帶半導(dǎo)體市場的全球規(guī)模預(yù)計將從 2020 年的 27.6 億美元增長到 2027 年的 86. 5億美元，年復(fù)合增長率達(dá)到 17.5%。其中，碳化硅（SiC）半導(dǎo)體市場規(guī)模較大，占據(jù)了市場份額的大部分，而氮化鎵（GaN）市場規(guī)模也在逐年增長。預(yù)計未來幾年，隨著新能源汽車的普及和5G基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的加速推進(jìn)，寬禁帶半導(dǎo)體市場 將持續(xù)保持高速增長。 

由深圳市電子商會和 Bodo’s 功率系統(tǒng)雜志主辦，China i2i Group，溢輝源展覽（深圳）有限公司協(xié)辦，將于今年10月12日在深圳國際會展中心(寶安新館) 3號館 3H88 會議區(qū)線下舉辦 Bodo’s 寬禁帶半導(dǎo)體論壇。該活動已連續(xù)6年在德國成功舉辦，聚集了全球數(shù)百名行業(yè)專家，分享寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展和最新成就。

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